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SI1039X-T1-GE3
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SI1039X-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 870mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 170mW (Ta) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 870mA (Ta) |
SI1039X-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI1039X-T1-GE3
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データシート
SI1039X-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI103" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI103'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI1030 | Silicon Labs | マイクロプロセッサ | |
SI1030-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2598 |
SI1030-A-GM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1030-A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2576 |
SI1030-A-GMR | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1030-B-GM3 | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2511 |
SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1030-B-GM3R | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2544 |
SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1031-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2665 |
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SI1039X-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1039X-T1-GE3 参考価格. SI1039X-T1-GE3 パラメーター, SI1039X-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1039X-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1039X-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1039X-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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