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SI1065X-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI1060-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 5428
SI1060-A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1060-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2783
SI1060-A-GMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
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SI1065X-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1065X-T1-GE3 参考価格. SI1065X-T1-GE3 パラメーター, SI1065X-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1065X-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1065X-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1065X-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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