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SI1917EDH-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 570mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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SI1917EDH-T1-E3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI1917EDH-T1-E3

その他には以下が含まれます：   "SI191"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI1912BDH-T1-E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 140
SI1912EDH VISHAY 特殊なホットIC 3812
SI1912EDH-T1 VISHAY 特殊なホットIC 7824
SI1912EDH-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 348
SI1912EDH-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 68292
SI1912EDH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI1912EDH-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 44585
SI1912EDH-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 17877
SI19134CTU SILICON 特殊なホットIC 80
SI1913DH-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 17123

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SI1917EDH-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1917EDH-T1-E3 参考価格. SI1917EDH-T1-E3 パラメーター, SI1917EDH-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1917EDH-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1917EDH-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1917EDH-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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