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SI2312CDS-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI2310 Original 特殊なホットIC 8880399
SI2310 60v KF 特殊なホットIC 360500
SI2310 CMN2310 VB 特殊なホットIC 10000
SI2310-TP Micro Commercial Components (MCC) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3381
SI2310-TP Micro Commercial Co 単一MOSFETトランジスタ
SI2310/KF2310 KEFAN 特殊なホットIC 120210
SI2310DS VISAHY 特殊なホットIC 30000
SI2310DS-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 364
SI2310DS-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 30415
SI2310DS-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 9350

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SI2312CDS-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI2312CDS-T1-GE3 参考価格. SI2312CDS-T1-GE3 パラメーター, SI2312CDS-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI2312CDS-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI2312CDS-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI2312CDS-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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