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SI2367DS-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 561pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI2365EDS VISHAY 特殊なホットIC 30000
SI2365EDS-M Original 特殊なホットIC 0
Si2365EDS-T1-E3 Son 特殊なホットIC 3478
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SI2366DS MI 特殊なホットIC 414295
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SI2367DS-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI2367DS-T1-GE3 参考価格. SI2367DS-T1-GE3 パラメーター, SI2367DS-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI2367DS-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI2367DS-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI2367DS-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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