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SI3438DV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35.5 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI3430DV-T1 VISHAY 特殊なホットIC 17389
SI3430DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2901
SI3430DV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 14798
SI3430DV-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI3430DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 27396
SI3430DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 66353
SI3430DV-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3344
SI3433BDV-T1 VISHAY 特殊なホットIC 6419
SI3433BDV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 51916
SI3433BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 51916

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SI3438DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI3438DV-T1-GE3 参考価格. SI3438DV-T1-GE3 パラメーター, SI3438DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3438DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3438DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3438DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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