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SI3459BDV-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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SI3451DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16362
SI3451DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3429
SI3452-B01-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2611
SI3452-B01-GM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3452-B01-IM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2660
SI3452-B01-IM Silicon Labs PoEコントローラー
SI3452-B02-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - イーサネット経由の電力供給 (PoE) コントローラー 2321

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SI3459BDV-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI3459BDV-T1-GE3 参考価格. SI3459BDV-T1-GE3 パラメーター, SI3459BDV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3459BDV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3459BDV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3459BDV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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