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SI4102DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158 mOhm @ 2.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
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SI4102DY-T1-E3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SI410"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI410 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 13
SI4100BDDY-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1860
SI4100DY VISHAY 特殊なホットIC 8196
SI4100DY-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2797
SI4100DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 105915
SI4100DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5390
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI4100DY-T1-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 10650
SI4100DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12974
SI4100DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12057

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SI4102DY-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4102DY-T1-E3 参考価格. SI4102DY-T1-E3 パラメーター, SI4102DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4102DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4102DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4102DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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