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SI4160DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2071pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.4A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4160DY SI 特殊なホットIC 22174
SI4160DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 29366
SI4160DY-T1-EG3 VISHAY 特殊なホットIC 2661
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SI4160DY-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 80495
SI4160DY-TI-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 4246
SI4162DY VISHAY 特殊なホットIC 1982
SI4162DY-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2784
SI4162DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 24308

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SI4160DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4160DY-T1-GE3 参考価格. SI4160DY-T1-GE3 パラメーター, SI4160DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4160DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4160DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4160DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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