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SI4204DY-T1-GE3
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SI4204DY-T1-GE3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 3.25W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
SI4204DY-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI4204DY-T1-GE3
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データシート
SI4204DY-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI420" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI420'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI4200-BM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 431 |
SI4200-BM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI4200-BMR | SILICON | 特殊なホットIC | 13391 |
SI4200-BMR IC | SI | 特殊なホットIC | 538 |
SI4200-EVB | Energy Micro (Silicon Labs) | RF 評価および開発キット、ボード | 2746 |
SI4200-EVB | Silicon Labs | RFボード | |
SI4200-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 3336 |
SI4200-GM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI4200-GMR | SILICONIX | 特殊なホットIC | 7500 |
SI4200BM | N/A | 特殊なホットIC | 2393 |
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SI4204DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4204DY-T1-GE3 参考価格. SI4204DY-T1-GE3 パラメーター, SI4204DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4204DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4204DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4204DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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