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SI4322DY-T1-GE3
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SI4322DY-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
SI4322DY-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI4322DY-T1-GE3
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データシート
SI4322DY-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI432" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI432'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI4320 | SILICON | 特殊なホットIC | 15652 |
SI4320-J-FT | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J-FTR | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J1-FT | Energy Micro (Silicon Labs) | RF受信機 | 941 |
SI4320-J1-FT | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J1-FT1 | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J1-FT1R | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J1-FTR | Energy Micro (Silicon Labs) | RF受信機 | 12753 |
SI4320-J1-FTR | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4320-J1-FTR IC | Energy Micro (Silicon Labs) | 特殊なホットIC | 1756 |
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SI4322DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4322DY-T1-GE3 参考価格. SI4322DY-T1-GE3 パラメーター, SI4322DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4322DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4322DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4322DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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