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SI4408DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
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SI4408DY-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4408DY-T1-E3 参考価格. SI4408DY-T1-E3 パラメーター, SI4408DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4408DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4408DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4408DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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