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SI4666DY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1145pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.5A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4660DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 21239
SI4660DY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 21239
SI4660DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8045
SI4660DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8045
SI4662DY-T1-E3 vishay 特殊なホットIC 5500
SI4662DY-T1-GE3 V 特殊なホットIC 16112
SI4662DY-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 16268
Si4666DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 39502
SI4666DY-T1-E3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 19048
SI4666DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 21779

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SI4666DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4666DY-T1-GE3 参考価格. SI4666DY-T1-GE3 パラメーター, SI4666DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4666DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4666DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4666DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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