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SI4825DY-T1-GE3
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SI4825DY-T1-GE3 技術仕様
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A (Ta) |
SI4825DY-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI4825DY-T1-GE3
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データシート
SI4825DY-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI482" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI482'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI4820-A10-CU | Energy Micro (Silicon Labs) | RF受信機 | 2719 |
SI4820-A10-CU | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4820-A10-CUR | Energy Micro (Silicon Labs) | RF受信機 | 2732 |
SI4820-A10-CUR | Silicon Labs | RF受信機 | |
SI4820DY | VIS | 特殊なホットIC | 903 |
SI4820DY-T1 | SIL | 特殊なホットIC | 9964 |
Si4820DY-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 3500 |
SI4820DY-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 18085 |
SI4822 | SILICONIX | 特殊なホットIC | 1326 |
SI4822-A10-CU | Energy Micro (Silicon Labs) | RF受信機 | 2642 |
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SI4825DY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4825DY-T1-GE3 参考価格. SI4825DY-T1-GE3 パラメーター, SI4825DY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4825DY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4825DY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4825DY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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