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SI4896DY-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4890 SI 特殊なホットIC 2632
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SI4890BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6314
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SI4890DY-T1 VISHAY 特殊なホットIC 604
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SI4896DY-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4896DY-T1-E3 参考価格. SI4896DY-T1-E3 パラメーター, SI4896DY-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4896DY-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4896DY-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4896DY-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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