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SI4963BDY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A
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データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI4963BDY-T1-GE3

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI4963 SILICONIX 特殊なホットIC 15
SI4963AN SI 特殊なホットIC 2776
SI4963B/DY-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 41900
SI4963BDY VIS 特殊なホットIC 832
SI4963BDY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 58687
SI4963BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 555
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI4963BDY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1249
SI4963BDY-T1-E3. VISHAY 特殊なホットIC 2011
SI4963BDY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9043

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SI4963BDY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI4963BDY-T1-GE3 参考価格. SI4963BDY-T1-GE3 パラメーター, SI4963BDY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI4963BDY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI4963BDY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI4963BDY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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