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SI5461EDC-T1-E3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI5461DC-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 15
SI5461EDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3326
SI5461EDC-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI5461EDC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4915
SI5461EDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4973
SI5463DC-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3521
SI5463EDC-T1 SILICON 特殊なホットIC 6472
SI5463EDC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6398
SI5463EDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 26152
SI5463EDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2595

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SI5461EDC-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI5461EDC-T1-E3 参考価格. SI5461EDC-T1-E3 パラメーター, SI5461EDC-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5461EDC-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5461EDC-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5461EDC-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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