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SI5480DU-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 7.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SI5480DU-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI5480DU VISHAY 特殊なホットIC 15288
SI5480DU-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2059
SI5480DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2683
SI5480DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682
SI5480DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2590
SI5480DU-TI-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 1058
SI5481DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2723
SI5481DU-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2766
SI5481DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2683
SI5481DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2738

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SI5480DU-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI5480DU-T1-E3 参考価格. SI5480DU-T1-E3 パラメーター, SI5480DU-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5480DU-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5480DU-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5480DU-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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