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SI5858DU-T1-GE3
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SI5858DU-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | LITTLE FOOT® |
Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
SI5858DU-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI5858DU-T1-GE3
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データシート
SI5858DU-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI585" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI585'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI5853CD-T1-E3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 11230 |
SI5853CDC | VISHAY | 特殊なホットIC | 30000 |
SI5853CDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32873 |
SI5853CDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 85906 |
SI5853CDC-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 2147 |
SI5853CDC-T1-GE3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 8500 |
SI5853DC | VISHAY | 特殊なホットIC | 13678 |
SI5853DC-T1 | VISHAY | 特殊なホットIC | 26262 |
SI5853DC-T1-E | VISHAY | 特殊なホットIC | 2277 |
SI5853DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 447214 |
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SI5858DU-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI5858DU-T1-GE3 参考価格. SI5858DU-T1-GE3 パラメーター, SI5858DU-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5858DU-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5858DU-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5858DU-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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