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SI7102DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7100DN SI 特殊なホットIC 2609
SI7100DN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4778
SI7100DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5337
SI7100DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1561
SI7100DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 32931
SI7100DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10575
SI7100DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 7615
SI7100EDN-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5642
SI7101DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3510
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SI7102DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7102DN-T1-GE3 参考価格. SI7102DN-T1-GE3 パラメーター, SI7102DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7102DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7102DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7102DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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