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SI7123DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3729pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.2A (Ta)
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SI7123DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7123DN-T1-GE3 参考価格. SI7123DN-T1-GE3 パラメーター, SI7123DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7123DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7123DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7123DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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