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SI7178DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2870pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7170DP SI 特殊なホットIC 9329
SI7170DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2488
SI7170DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 54279
SI7170DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 54279
SI7170DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1043
SI7172ADP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 10180
SI7172ADP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2717
SI7172DP VISHAY 特殊なホットIC 2744
SI7172DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1342
SI7172DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 17319

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SI7178DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7178DP-T1-GE3 参考価格. SI7178DP-T1-GE3 パラメーター, SI7178DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7178DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7178DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7178DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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