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SI7342DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.25 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
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SI7342DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7342DP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 2613
SI7342DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2675
SI7342DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3146
SI7342DP-TI-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 14214
SI7344DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3310
SI7344DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3443
SI7344DP-T1-GE3 VB 特殊なホットIC 1000
SI7344DP-TI-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 12849
SI7348DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 80000
SI7348DP-TI-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 7029

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SI7342DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7342DP-T1-GE3 参考価格. SI7342DP-T1-GE3 パラメーター, SI7342DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7342DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7342DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7342DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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