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SI7456DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 9.3A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Ta)
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SI7456DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7450 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 70
SI7450DP SI 特殊なホットIC 10858
SI7450DP MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1358
SI7450DP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 6687
SI7450DP-T1-(G)E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5390
SI7450DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5443
SI7450DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 19914
SI7450DP-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI7450DP-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 397
SI7450DP-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5165

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SI7456DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7456DP-T1-GE3 参考価格. SI7456DP-T1-GE3 パラメーター, SI7456DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7456DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7456DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7456DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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