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SI7611DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 9.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7611DN SI 特殊なホットIC 8374
Si7611DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 457
SI7611DN-T1-E3 IC TI 特殊なホットIC 735
SI7611DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 47574
SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
Si7611DN-T1-GE3 MOS CCSEMI 特殊なホットIC 3310
SI7613DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2718
SI7613DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 43873
SI7613DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5844
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SI7611DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7611DN-T1-GE3 参考価格. SI7611DN-T1-GE3 パラメーター, SI7611DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7611DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7611DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7611DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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