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SI7882DP-T1-GE3
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SI7882DP-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
SI7882DP-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI7882DP-T1-GE3
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データシート
SI7882DP-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI788" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI788'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI7880ADP | SI | 特殊なホットIC | 672 |
SI7880ADP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 101664 |
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 915 |
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SI7880ADP-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 2622 |
SI7880ADP-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 1535 |
SI7880ADP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 12499 |
SI7880ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3678 |
SI7880DP | VISHAY | 特殊なホットIC | 2700 |
SI7880DP-T1 | VISHAY | 特殊なホットIC | 754 |
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SI7882DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7882DP-T1-GE3 参考価格. SI7882DP-T1-GE3 パラメーター, SI7882DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7882DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7882DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7882DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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