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SI7925DN-T1-E3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.3W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7922DN VISHAY 特殊なホットIC 2683
SI7922DN-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 492
SI7922DN-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 4191
SI7922DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 4191
SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7922DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 7817
SI7922DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9869
SI7922DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 25951
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7922DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 533

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SI7925DN-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7925DN-T1-E3 参考価格. SI7925DN-T1-E3 パラメーター, SI7925DN-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7925DN-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7925DN-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7925DN-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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