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SI7949DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.5W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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SI7949DP-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI7940DP VISHAY 特殊なホットIC 1345
SI7940DP-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2630
SI7940DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1692
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7940DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 5665
SI7940DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3076
SI7940DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI7941DP VISHAY 特殊なホットIC 2531
SI7941DP-T1 VISHAY 特殊なホットIC 3326
SI7941DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 5300

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SI7949DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI7949DP-T1-GE3 参考価格. SI7949DP-T1-GE3 パラメーター, SI7949DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI7949DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI7949DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI7949DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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