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SI8499DB-T2-E1
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SI8499DB-T2-E1 技術仕様
MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Package / Case | 6-MICRO FOOT™ |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
SI8499DB-T2-E1 書類
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データシート
SI8499DB-T2-E1.pdf
その他には以下が含まれます: "SI849" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI849'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI8497DB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2770 |
SI8497DB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2597 |
SI8499DB-T1-GE3 | VISHAY | 特殊なホットIC | 36500 |
SI8499DB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 542475 |
SI8499DB-T2-E1 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 6228 |
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SI8499DB-T2-E1 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI8499DB-T2-E1 参考価格. SI8499DB-T2-E1 パラメーター, SI8499DB-T2-E1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI8499DB-T2-E1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI8499DB-T2-E1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI8499DB-T2-E1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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