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SI8809EDB-T2-E1 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Supplier Device Package 4-Microfoot
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 4-XFBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI8800EDB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 145009
SI8800EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 9476
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI8800EDB-T2-E1 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 921
SI8800EDB-T2-E1 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1195236
SI8800EDB-T2-E1DKR-ND Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2260
SI8802DB-T2-E1 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2651
SI8802DB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 970
SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SI8805EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 33570

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SI8809EDB-T2-E1 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI8809EDB-T2-E1 参考価格. SI8809EDB-T2-E1 パラメーター, SI8809EDB-T2-E1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI8809EDB-T2-E1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI8809EDB-T2-E1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI8809EDB-T2-E1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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