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SI9435BDY-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI9430 VISHAY 特殊なホットIC 1076
SI9430BDY-T1-E3 VISHAT 特殊なホットIC 746
SI9430DY VIS 特殊なホットIC 2647
SI9430DY-T1 SI 特殊なホットIC 16005
SI9430DY-T1-E3 SOP-8 特殊なホットIC 26450
SI9430DY-T1-E3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6280
SI9430DY-T1-E3. VISHAY 特殊なホットIC 1740
SI9430DY-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 3511
SI9431DY-T1 SILICONIX 特殊なホットIC 2843
SI9431DY-T1-E3 VB 特殊なホットIC 18974

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SI9435BDY-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI9435BDY-T1-GE3 参考価格. SI9435BDY-T1-GE3 パラメーター, SI9435BDY-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI9435BDY-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI9435BDY-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI9435BDY-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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