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SIA411DJ-T1-E3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SIA411DJ-T1-E3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA411DJ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2925
SIA411DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3509
SIA411DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3509
SIA413ADJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 61260
SIA413DJ-T1-E3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 30
SIA413DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10248
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12365
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIA413DJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1205
SIA413DJ-T4-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 1889

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SIA411DJ-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIA411DJ-T1-E3 参考価格. SIA411DJ-T1-E3 パラメーター, SIA411DJ-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA411DJ-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA411DJ-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA411DJ-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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