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SIA817EDJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA8101 N/A 特殊なホットIC 1318
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SIA810DJ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2534
SIA810DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
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SIA817EDJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIA817EDJ-T1-GE3 参考価格. SIA817EDJ-T1-GE3 パラメーター, SIA817EDJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA817EDJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA817EDJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA817EDJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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