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SIA910EDJ-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIA910EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 24129
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA910EDJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 572
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2641
SIA911ADJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 32887
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIA911ADJ-T5-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 18412
SIA911DJ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 15420
SIA911DJ-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9251
SIA911DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SIA910EDJ-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIA910EDJ-T1-GE3 参考価格. SIA910EDJ-T1-GE3 パラメーター, SIA910EDJ-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIA910EDJ-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIA910EDJ-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIA910EDJ-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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