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SIB488DK-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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SIB488DK-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 364

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SIB488DK-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIB488DK-T1-GE3 参考価格. SIB488DK-T1-GE3 パラメーター, SIB488DK-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIB488DK-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIB488DK-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIB488DK-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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