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SIE810DF-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 10-PolarPAK® (L)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
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SIE810DF-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIE810DF-T1-E3 参考価格. SIE810DF-T1-E3 パラメーター, SIE810DF-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIE810DF-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIE810DF-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIE810DF-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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