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SIHF6N65E-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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SIHF6N65E-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SiHF610 VB 特殊なホットIC 3000
SiHF610S VB 特殊なホットIC 5000
SiHF620 VB 特殊なホットIC 3000
SiHF620S VB 特殊なホットIC 5000
SiHF630 Vishay 特殊なホットIC 31849
SiHF630S Vishay 特殊なホットIC 22739
SiHF634 Vishay 特殊なホットIC 29051
SiHF634S Vishay 特殊なホットIC 22837
SIHF634S-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 11968
SiHF640 Vishay 特殊なホットIC 28881

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SIHF6N65E-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHF6N65E-GE3 参考価格. SIHF6N65E-GE3 パラメーター, SIHF6N65E-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHF6N65E-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHF6N65E-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHF6N65E-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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