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SIHG70N60EF-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHG70N60AEF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1379
SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHG70N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3192
SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SiHG70N60EF-GE3 94N65 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1282
SiHG70N60EF-GE3 94N65 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1487
SiHG70N60EF-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 86307
SIHG70N60EFEF-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 32000
SIHG73N60AE-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682
SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIHG70N60EF-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHG70N60EF-GE3 参考価格. SIHG70N60EF-GE3 パラメーター, SIHG70N60EF-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHG70N60EF-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHG70N60EF-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHG70N60EF-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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