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SIHH11N65E-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 363 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1257pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHH100N60E Vishay Precision Group 特殊なホットIC 10069
SIHH1075-R22L-R29 MAG 特殊なホットIC 4282
SIHH11N60E Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9226
SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2751
SIHH11N60E-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2707
SIHH11N60EF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2527
SIHH11N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2712
SIHH11N65E Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9364
SIHH11N65E-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2594
SIHH11N65EF Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9335

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SIHH11N65E-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHH11N65E-T1-GE3 参考価格. SIHH11N65E-T1-GE3 パラメーター, SIHH11N65E-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHH11N65E-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHH11N65E-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHH11N65E-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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