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SIHJ10N60E-T1-GE3
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SIHJ10N60E-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 10A SO8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 784pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
SIHJ10N60E-T1-GE3 書類
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データシート
SIHJ10N60E-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIHJ1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIHJ1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2598 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
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SIHJ10N60E-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHJ10N60E-T1-GE3 参考価格. SIHJ10N60E-T1-GE3 パラメーター, SIHJ10N60E-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHJ10N60E-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHJ10N60E-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHJ10N60E-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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