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SIHJ7N65E-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHJ7N65E-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2761
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIHJ7N65E-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHJ7N65E-T1-GE3 参考価格. SIHJ7N65E-T1-GE3 パラメーター, SIHJ7N65E-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHJ7N65E-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHJ7N65E-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHJ7N65E-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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