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SIHP28N60EF-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2714pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHP20N50E Vishay Precision Group 特殊なホットIC 25
SIHP20N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 29
SIHP20N50E-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2734
SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHP21N60EF Vishay Precision Group 特殊なホットIC 7470
SIHP21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10115
SIHP21N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3033
SIHP21N60EF-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHP21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2765
SIHP21N65EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2756

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SIHP28N60EF-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHP28N60EF-GE3 参考価格. SIHP28N60EF-GE3 パラメーター, SIHP28N60EF-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHP28N60EF-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHP28N60EF-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHP28N60EF-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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