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SIJ420DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3630pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SIJ420DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 7038

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SIJ420DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIJ420DP-T1-GE3 参考価格. SIJ420DP-T1-GE3 パラメーター, SIJ420DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIJ420DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIJ420DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIJ420DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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