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SIR166DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 48W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3340pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SiR164ADP-T1-GE3 QQ2850920 特殊なホットIC 3231
SIR164DP SI 特殊なホットIC 6546
SIR164DP MOS VBSEMI 特殊なホットIC 1317
SIR164DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 11909
SIR164DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 239320
SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR164DP-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3270
SIR164DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2764
SIR164DY-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 492
SIR165DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 476

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SIR166DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIR166DP-T1-GE3 参考価格. SIR166DP-T1-GE3 パラメーター, SIR166DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR166DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR166DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR166DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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