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SIR680DP-T1-RE3 技術仕様

MOSFET N-CH 80V 100A SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 7.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 2375
SIR680DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2600
SIR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR680LDP-T1-RE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 598
SIR688DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2625
SIR688DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2598
SIR688DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIR680DP-T1-RE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIR680DP-T1-RE3 参考価格. SIR680DP-T1-RE3 パラメーター, SIR680DP-T1-RE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR680DP-T1-RE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR680DP-T1-RE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR680DP-T1-RE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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