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SIR800DP-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5125pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9605
SIR800DP VB 特殊なホットIC 2356
SiR800DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 13692
SIR800DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 35059
SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIR800DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 810
SIR800DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2581
SiR802DP-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 33288
SIR802DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13496
SIR802DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 20687

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SIR800DP-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIR800DP-T1-GE3 参考価格. SIR800DP-T1-GE3 パラメーター, SIR800DP-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIR800DP-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIR800DP-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIR800DP-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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