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SIS472DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 997pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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SIS472DN-T1-GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SIS47"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SiS472ADN Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5225
SIS472ADN-T1-GE Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3260
SIS472ADN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34310
SiS472ADN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 54278
SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9237
SiS472BDN-T1-GE3 MOS CCSEMI 特殊なホットIC 3351
SIS472DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10091
SIS476DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2647
SIS476DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ

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SIS472DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIS472DN-T1-GE3 参考価格. SIS472DN-T1-GE3 パラメーター, SIS472DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS472DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS472DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS472DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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