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SIS990DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 25W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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SIS990DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2565
SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SIS990DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIS990DN-T1-GE3 参考価格. SIS990DN-T1-GE3 パラメーター, SIS990DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS990DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS990DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS990DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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