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SISS28DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.52 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3640pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SISS23DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 2601
SISS23DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5399
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SISS28DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SISS28DN-T1-GE3 参考価格. SISS28DN-T1-GE3 パラメーター, SISS28DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SISS28DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SISS28DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SISS28DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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