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SQ2361EES-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQ2360EES-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 64044
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 36884
SQ2360EES-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 3408
SQ2361AEES Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5201
SQ2361AEES-T1 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 9479
SQ2361AEES-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 45315
SQ2361AEES-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 30342
SQ2361AEES-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3107
SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 54323
SQ2361EES-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 46245

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SQ2361EES-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SQ2361EES-T1-GE3 参考価格. SQ2361EES-T1-GE3 パラメーター, SQ2361EES-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQ2361EES-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQ2361EES-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQ2361EES-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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